IRFH6200TRPBF دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IRFH6200TRPBF
|
|
حجم فایل
|
83.178
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IRFH6200TRPBF
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
3.6W;156W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
230nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
10890pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
49A;100A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.1V@150uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
0.95mΩ@10V,50A
-
Package:
PQFN-8(5x6)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
